一種特定結(jié)構(gòu)的邊發(fā)射半導體激光耦合光纖

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110849321.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113572004B 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號 CN113572004B 申請公布日 2022-07-12
分類號 H01S3/067（2006.01）I;H01S3/0941（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬修泉;鄭家容;劉懷亮 申請（專利權(quán)）人 廣東國志激光技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京華際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 523000廣東省東莞市松山湖園區(qū)科技九路1號2棟3單元101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公布了一種特定結(jié)構(gòu)的邊發(fā)射半導體激光耦合光纖，該光纖包括高折射率的纖芯，包覆于纖芯外表面的低折射率包層以及包覆與包層外表面的高分子涂覆層，其中纖芯的橫截面為非圓形，可以是方形、橢圓形和矩形等與邊發(fā)射半導體激光輸出的光斑陣列相匹配的形狀。該光纖可以提高光纖橫截面有效耦合面積的利用率，提高半導體激光的輸出功率密度。