一種用于MOCVD設(shè)備GaAs基外延摻雜源供給系統(tǒng)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910572208.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112144038A | 公開（公告）日 | 2020-12-29 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112144038A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-29 |
| 分類號(hào) | C23C16/18(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 吳作貴;朱忻 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 張家港恩達(dá)通訊科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 唐巖 |
| 地址 | 215614江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)鳳凰科創(chuàng)園E棟，恩達(dá)通訊 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于MOCVD設(shè)備GaAs基外延摻雜源供給系統(tǒng)，旨在解決實(shí)際生產(chǎn)過程中摻雜源過期使用或未使用完即需更換，從而導(dǎo)致生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量不能保證，以及生產(chǎn)成本增加的問題，其技術(shù)要點(diǎn)在于供若干種類的載氣及摻雜源輸入并輸出調(diào)整所得氣體的流通管路、至少兩臺(tái)與所述流通管路相連的MOCVD設(shè)備，以及一控制子系統(tǒng)，所述載氣與所述摻雜源混合稀釋以輸出指標(biāo)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)符合指標(biāo)目標(biāo)數(shù)據(jù)的所述調(diào)整所得氣體；所述控制子系統(tǒng)包括數(shù)字化傳感器；執(zhí)行件；與所述數(shù)字化傳感器通信連接，將數(shù)字化傳感器檢測(cè)所得的指標(biāo)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)與對(duì)應(yīng)的指標(biāo)目標(biāo)數(shù)據(jù)比對(duì)，并控制所述執(zhí)行件動(dòng)作的控制端。?? |
