具有反射層的銦鎵砷光電探測器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910572210.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112234116A 公開（公告）日 2021-01-15
申請公布號 CN112234116A 申請公布日 2021-01-15
分類號 H01L31/105(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳作貴;朱忻;托馬斯·蓋德 申請（專利權(quán)）人 張家港恩達(dá)通訊科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳小玲
地址 215614江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)鳳凰科創(chuàng)園E棟，恩達(dá)通訊
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及光電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具有反射層的銦鎵砷光電探測器及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中光電探測器的材料厚度大、光生載流子的自由程高、器件的量子效率和工作效率低，其技術(shù)要點(diǎn)在于包括通過MOCVD制得的外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置的InP襯底、InP緩沖層、GaAsSb/AlGaAsSb DBR反射層、InGaAs吸收層，InP窗口層；其中，所述GaAsSb/AlGaAsSb DBR反射層用以反射入射波段的光子。本發(fā)明在銦鎵砷光電探測器中增加了GaAsSb/AlGaAsSb DBR反射層，使更多穿透吸收層的光子反射回來重新吸收，可以在較薄吸收層的情況下，獲得較強(qiáng)的光吸收，減少光生載流子的自由程，提高器件的量子效率和工作速度，降低器件暗電流。??