一種高可靠性浪涌電壓抑制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111069032.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113783170A 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN113783170A 申請公布日 2021-12-10
分類號 H02H9/00（2006.01）I;H02H9/04（2006.01）I;H02M1/44（2007.01）I;H02M1/32（2007.01）I;H02M3/156（2006.01）I;H02M3/158（2006.01）I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 王威;彭亭;趙翠蘭;寇云峰;補銳 申請（專利權(quán)）人 成都新欣神風電子科技有限公司
代理機構(gòu) 四川省成都市天策商標專利事務(wù)所（有限合伙） 代理人 張秀敏
地址 610000四川省成都市高新區(qū)天勤東街58號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高可靠性浪涌電壓抑制方法，包括MOS管Q1，Q1的漏極與電壓輸入端和輸入電容C1連接，Q1的源極連接續(xù)流二級管D1和電感L，電感L連接電壓輸出端以及輸出電容C2和電阻R1的第一端；電阻R1的第二端連接電阻R2的第一端和占空比控制環(huán)路的反饋輸入端，輸出電容C2和電阻R1的第二端接地；占空比控制環(huán)路輸出端連接Q1的柵極。本發(fā)明在輸入電壓低于預(yù)設(shè)值時，MOS管直通，輸入輸出電壓跟隨；當輸入電壓高于預(yù)設(shè)值時，電路工作于高頻降壓模式，輸出電壓為預(yù)設(shè)值。使得MOS管選型不再受到安全工作區(qū)限制，可以選擇導(dǎo)通電阻較小的器件，可有效降低損耗，提高可靠性。