一種分立的功率mos場(chǎng)效應(yīng)管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201621426629.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN206301804U 公開（公告）日 2017-07-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN206301804U 申請(qǐng)公布日 2017-07-04
分類號(hào) H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 譚在超;羅寅;丁國(guó)華;鄒望杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安鍇威半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 徐文權(quán)
地址 710077 陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號(hào)創(chuàng)業(yè)研發(fā)園瞪羚谷B303室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種分立的功率mos場(chǎng)效應(yīng)管，在功率mos場(chǎng)效應(yīng)管成型過程中，首先在外延層中形成源區(qū)，對(duì)成型的源區(qū)進(jìn)行接觸孔腐蝕，接觸孔區(qū)域進(jìn)行P+注入與原有P+區(qū)銜接形成P+區(qū)，然后進(jìn)行金屬淀積形成金屬層，最終得到金屬層與源區(qū)的N+和P+接觸，工藝過程中減少了原有工藝過程中兩次光刻腐蝕分別形成N+和P+的光刻過程，從而將功率MOS制造流程減少一次光刻，從而簡(jiǎn)化制造流程，降低生產(chǎn)成本，采用刻硅技術(shù)縮短了P+到金屬層接觸的路徑，從而減小了寄生P+電阻，進(jìn)而可抑制寄生NPN管的開啟，有利于提高雪崩擊穿耐量，采用先形成源區(qū)，再對(duì)成型的源區(qū)進(jìn)行接觸孔腐蝕，避免了由于N+濃度遠(yuǎn)高于P+濃度導(dǎo)致在接觸孔光刻后的P+注入無法形成的麻煩。