一種GaAs工藝K波段變頻器結(jié)構(gòu)芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110092386.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112928994A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN112928994A 申請(qǐng)公布日 2021-06-08
分類號(hào) H03D7/16 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 黃軍恒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥芯谷微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 昆明合眾智信知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 朱世新
地址 230088 安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新大道2800號(hào)創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園二期F1樓1001-1002室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種GaAs工藝K波段變頻器結(jié)構(gòu)芯片，工作頻率17.7GHz?23.4GH，基波信號(hào)輸入頻率是8.85GHz?11.7GHz，輸入信號(hào)經(jīng)過(guò)基波放大器進(jìn)行信號(hào)放大，放大信號(hào)驅(qū)動(dòng)二倍頻器進(jìn)行工作，使信號(hào)進(jìn)行二次倍頻，經(jīng)過(guò)濾波器，更進(jìn)一步濾除雜波。實(shí)現(xiàn)了從X到K波段的倍頻功能，達(dá)到了16dBm的輸出功率，且功率平坦度較好，具有良好的各次諧波抑制度，達(dá)到了55dBc。放大后的本振信號(hào)經(jīng)過(guò)本振I/Q電橋，分成兩路相位差別90°的信號(hào)，分別進(jìn)入混頻器，雙平衡混頻器分別和輸入的中頻I信號(hào)和中頻Q信號(hào)進(jìn)行混頻，混頻后的信號(hào)進(jìn)過(guò)射頻I/Q電橋進(jìn)行合成，有效的抑制鏡像信號(hào)，抑制度達(dá)到了50dBc。射頻信號(hào)最后進(jìn)入低噪聲射頻放大器，輸出功率大于17dBm，噪聲小于10dB，實(shí)現(xiàn)0.05W的射頻功率輸出。