一種GaAsE/D工藝低功耗反相器電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110092387.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112865783A 公開（公告）日 2021-05-28
申請公布號 CN112865783A 申請公布日 2021-05-28
分類號 H03K19/094(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 梅連峰;黃軍恒 申請（專利權(quán)）人 合肥芯谷微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 昆明合眾智信知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 朱世新
地址 230088安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新大道2800號創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園二期F1樓1001-1002室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種GaAs E/D工藝低功耗反相器電路，Vin為TTL控制邏輯電平，經(jīng)過6個二極管降壓，將TTL邏輯控制信號轉(zhuǎn)化為能夠滿足GaAs E管打開或關(guān)斷需求的高低電平的?4/?5V。電位平移末端的D管(DM1)漏極與第一級反相中的E管(EM3)柵極相連，第一級輸出(Vout1)連接一個柵極和源極相連的E管(EM4)漏極接到第二級反相中的E管(EM6)柵極，并通過E管(EM6)漏極作為第二級輸出(Vout2)。最終得到一對互補(bǔ)的差分信號，輸出高低電平分別為0/?4.95V，能夠滿足GaAs開關(guān)打開或關(guān)斷的需求。其中D管(DM2)、D管(DM5)的柵極和源極互連構(gòu)成恒流源，并通過堆疊結(jié)構(gòu)以及串聯(lián)電阻的方式降低靜態(tài)功耗。??