一種真空鍍膜裝置
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020307349.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN213295490U | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-05-28 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN213295490U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-28 |
分類號(hào) | C23C14/54(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 分類 | - |
發(fā)明人 | 申屠江民;祝宇;王連彬;龔陽(yáng);楊雄波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 浙江萊寶科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 321016浙江省金華市婺城區(qū)涌雪街333號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型提供一種真空鍍膜裝置,包括真空鍍膜的腔體、磁鋼、靶材、中心加熱器與鍍膜小車,所述腔體構(gòu)造出一立方體空間,所述靶材、中心加熱器與鍍膜小車均設(shè)置于所述立方體空間內(nèi),所述磁鋼設(shè)置于所述腔體的外壁上,所述靶材設(shè)置于所述腔體的內(nèi)壁的側(cè)壁上,所述靶材與磁鋼在腔體上的投影相對(duì)應(yīng)。所述中心加熱器懸掛于腔體內(nèi)壁的上壁上,所述鍍膜小車上搭載有基片,所述基片置于所述中心加熱器的一側(cè)。在鍍膜過(guò)程采用一系列溫控手段,提升鍍膜基片在磁控濺射過(guò)程中的溫度均勻性,同時(shí)有利于減少成膜過(guò)程中出現(xiàn)的薄膜表面缺陷,確保鍍膜的穩(wěn)定性與均勻性。?? |
