一種改善硼摻雜對絨面金字塔損傷的方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111346939.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114203840A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203840A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L31/0288（2006.01）I;H01L21/223（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李家棟;王建明;章康平;劉勇 申請（專利權(quán)）人 一道新能源科技（衢州）有限公司
代理機構(gòu) 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蘇培華
地址 324022浙江省衢州市綠色產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)東港片區(qū)百靈南路43號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改善硼摻雜對絨面金字塔損傷的方法及裝置，涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括，A、將原硅片制絨，得到制絨后的硅片；B、將所述制絨后的硅片置于擴散爐內(nèi)，通入硼源和氧氣進行沉積，沉積結(jié)束后停止硼源和氧氣的通入；C、升高擴散爐內(nèi)的溫度，通入水蒸汽，進行氧化，氧化結(jié)束后，停止水蒸汽的通入；D、升高擴散爐內(nèi)的溫度，在惰性氣體或氮氣氛圍下加熱，進行推進；E、降低擴散爐內(nèi)的溫度，得到硼摻雜的硅片。本發(fā)明采用水蒸汽代替氧氣進行氧化反應(yīng)和高溫?zé)o氧環(huán)境進行推進，避免硅片形成的絨面金字塔的破壞，進而降低了制得的硼摻雜硅片摻雜面反射率。