一種P型晶體硅太陽能電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010911617.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114203854A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203854A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/0216（2014.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王洪喆;劉勇;樸松源;潘強強;李家棟;蔡倫 申請（專利權(quán)）人 一道新能源科技（衢州）有限公司
代理機構(gòu) 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 莎日娜
地址 324022浙江省衢州市綠色產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)東港片區(qū)百靈南路43號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例提供了一種P型晶體硅太陽能電池的制備方法及P型晶體硅太陽能電池，該制備方法包括：在P型晶體硅基底的第一面擴散磷，形成N型晶體硅結(jié)構(gòu)和第一磷硅玻璃層；在第一磷硅玻璃層上形成第一凹槽，使N型晶體硅結(jié)構(gòu)暴露；在第一凹槽內(nèi)進行一系列工藝，使第一凹槽內(nèi)包括第一氧化硅層和N型重摻雜多晶硅；最后印刷銀電極和鋁電極。本發(fā)明實施例能夠利用現(xiàn)有P型晶體硅太陽能電池生產(chǎn)設(shè)備實現(xiàn)太陽能電池的制備，與現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備兼容性強，進而實現(xiàn)太陽能電池制備流程的穩(wěn)定性較高。只對第一凹槽內(nèi)的N型晶體硅結(jié)構(gòu)進行氧化處理，保證了非電極接觸區(qū)域的良好光吸收。