一種硅基底制備方法及太陽能電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010969860.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114188436A 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN114188436A 申請公布日 2022-03-15
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L21/225（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘強強;劉勇;樸松源;王洪喆;王路;李家棟 申請（專利權(quán)）人 一道新能源科技（衢州）有限公司
代理機構(gòu) 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 莎日娜
地址 324022浙江省衢州市綠色產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)東港片區(qū)百靈南路43號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種硅基底制備方法及太陽能電池，屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的硅基底制備方法，通過在硅片中兩次不同深度的磷擴散，從而靈活調(diào)整磷在硅片中的濃度分布，此時，硅基底的表面濃度較高，且表面濃度下降趨勢較為平緩，優(yōu)化了硅片與金屬電極的歐姆接觸，降低了接觸電阻，提高了基于該硅片的太陽能電池的填充因子；體內(nèi)濃度較低，降低了硅片的體內(nèi)復(fù)合，提高了基于該硅片的太陽能電池的開路電壓與短路電流；最后，上述改進沒有增加磷擴散過程所需的時間，也沒有引入其他制備工藝，便于在現(xiàn)有的規(guī)模化生產(chǎn)中應(yīng)用，改進成本低。