一種集成肖特基二極管的碳化硅場效應管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110346884.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113035959A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN113035959A 申請公布日 2021-06-25
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐守一;賴銀坤;蔡銘進 申請（專利權(quán)）人 廈門芯達茂微電子有限公司
代理機構(gòu) 廈門加減專利代理事務所（普通合伙） 代理人 楊澤奇
地址 361000 福建省廈門市火炬高新區(qū)火炬園火炬路56-58號火炬廣場北樓606、607、609室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體器件技術(shù)領域，特別涉及一種集成肖特基二極管的碳化硅場效應管及其制備方法，其中集成肖特基二極管的碳化硅場效應管包括襯底層和外延層，外延層背離襯底層的一側(cè)具有柵極溝槽，柵極溝槽內(nèi)具有柵極氧化層以及柵電極層，還包括與柵極介質(zhì)層頂部相連的柵極；外延層中緊貼柵極溝槽的兩側(cè)具有P?well阱區(qū)，P?well阱區(qū)頂部具有源極接觸N+區(qū)域；還包括設于外延層上表面的肖特基金屬層。本發(fā)明通過在緊貼柵極溝槽處設置P?well阱區(qū)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，節(jié)省P?well空間、提高器件整體的功率密度進而降低成本。此外通過設置肖特基金屬層將SBD集成在本發(fā)明中，結(jié)合SBD和SiC?MOS的優(yōu)點，可以有效降低MOS的反向恢復電荷，提升反向開關特性及減少開關損耗。