一種集成肖特基二極管的碳化硅場效應(yīng)管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120660339.X 申請日 -
公開（公告）號 CN216015372U 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN216015372U 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐守一;賴銀坤;蔡銘進(jìn) 申請（專利權(quán)）人 廈門芯達(dá)茂微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門加減專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 楊澤奇
地址 361000福建省廈門市火炬高新區(qū)火炬園火炬路56-58號火炬廣場北樓606、607、609室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種集成肖特基二極管的碳化硅場效應(yīng)管，包括襯底層和外延層，外延層背離襯底層的一側(cè)具有柵極溝槽，柵極溝槽內(nèi)具有柵極氧化層以及柵電極層，還包括與柵極介質(zhì)層頂部相連的柵極；外延層中緊貼柵極溝槽的兩側(cè)具有P?we l l阱區(qū)，P?we l l阱區(qū)頂部具有源極接觸N+區(qū)域；還包括設(shè)于外延層上表面的肖特基金屬層。本實(shí)用新型通過在緊貼柵極溝槽處設(shè)置P?we l l阱區(qū)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，節(jié)省P?we l l空間、提高器件整體的功率密度進(jìn)而降低成本。此外通過設(shè)置肖特基金屬層將SBD集成在本實(shí)用新型中，結(jié)合SBD和Si C?MOS的優(yōu)點(diǎn)，可以有效降低MOS的反向恢復(fù)電荷，提升反向開關(guān)特性及減少開關(guān)損耗。