一種絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202122975801.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN216389384U 公開（公告）日 2022-04-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN216389384U 申請(qǐng)公布日 2022-04-26
分類號(hào) H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐守一;陳思凡;蔡銘進(jìn) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門芯達(dá)茂微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門加減專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 包愛萍
地址 361000福建省廈門市火炬高新區(qū)火炬園火炬路56-58號(hào)火炬廣場北樓606、607、609室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的一種絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)，通過于襯底上生長的方式依次形成集電區(qū)、截止區(qū)和漂移區(qū)，并且通過深溝結(jié)構(gòu)和連接層的設(shè)置實(shí)現(xiàn)集電極和集電區(qū)金屬接觸，在生長過程中可控制截止區(qū)和漂移區(qū)各自的摻雜濃度，因此本實(shí)用新型對(duì)于襯底的選擇范圍較廣，而對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中通過背側(cè)高能注入離子并鐳射退火形成截止區(qū)集電區(qū)的方式而言，襯底往往選擇摻雜濃度低的半導(dǎo)體材料，且為了獲得較低地Vce（sat），晶片會(huì)被研磨的很薄，進(jìn)而需要通過TAI KO工藝提高研磨至很薄的晶片強(qiáng)度，而本實(shí)用新型則無需采用上述工藝中的昂貴設(shè)備，具有較低的生產(chǎn)成本。