一種具有分裂柵結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)MOS及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010772615.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114068669A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114068669A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 徐守一;賴(lài)銀坤;蔡銘進(jìn) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廈門(mén)芯達(dá)茂微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廈門(mén)加減專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 王春霞 |
| 地址 | 361006福建省廈門(mén)市湖里區(qū)火炬高新區(qū)火炬路56-58號(hào)火炬廣場(chǎng)北樓606號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提出一種具有分裂柵結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)MOS及其制備方法，其中，具有分裂柵結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)MOS，包括cell區(qū)域，所述cell區(qū)域上設(shè)有Split Gate結(jié)構(gòu)和Super Junction結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的分裂柵結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)MOS，通過(guò)Split Gate和Super Junction相結(jié)合的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能夠使得整個(gè)超級(jí)結(jié)MOS同時(shí)具備Split Gate和Super Junction的優(yōu)點(diǎn)，可以有效降低MOS的Qg和Rds（on），解決了現(xiàn)有的Super Junction MOS的Qg大，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)速度慢的問(wèn)題，從而提高了開(kāi)關(guān)速度并減少了開(kāi)關(guān)損耗。 |
