一種具有分裂柵結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOS及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010772615.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114068669A 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN114068669A 申請公布日 2022-02-18
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐守一;賴銀坤;蔡銘進 申請（專利權(quán)）人 廈門芯達(dá)茂微電子有限公司
代理機構(gòu) 廈門加減專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王春霞
地址 361006福建省廈門市湖里區(qū)火炬高新區(qū)火炬路56-58號火炬廣場北樓606號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種具有分裂柵結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOS及其制備方法，其中，具有分裂柵結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOS，包括cell區(qū)域，所述cell區(qū)域上設(shè)有Split Gate結(jié)構(gòu)和Super Junction結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的分裂柵結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOS，通過Split Gate和Super Junction相結(jié)合的結(jié)構(gòu)設(shè)計，能夠使得整個超級結(jié)MOS同時具備Split Gate和Super Junction的優(yōu)點，可以有效降低MOS的Qg和Rds（on），解決了現(xiàn)有的Super Junction MOS的Qg大，導(dǎo)致開關(guān)速度慢的問題，從而提高了開關(guān)速度并減少了開關(guān)損耗。