整合FRD的IGBT器件及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210035642.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114334815A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114334815A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-04-12 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/8222（2006.01）I;H01L21/225（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 徐守一;陳廣樂(lè);蔡銘進(jìn) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廈門(mén)芯達(dá)茂微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廈門(mén)加減專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 包愛(ài)萍 |
| 地址 | 361000福建省廈門(mén)市火炬高新區(qū)火炬園火炬路56-58號(hào)火炬廣場(chǎng)北樓606、607、609室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種整合FRD的IGBT器件的制造方法，其包括在襯底的正面形成保護(hù)環(huán)；在襯底的正面設(shè)置氧化層；在部分的襯底的正面設(shè)置多個(gè)柵極；在柵極之間設(shè)置P型阱層；在部分的P型阱層的正面設(shè)置N型發(fā)射層；在N型發(fā)射層、柵極和氧化層的正面設(shè)置介質(zhì)層；注入N導(dǎo)電類(lèi)型的離子和P導(dǎo)電類(lèi)型的離子；進(jìn)行重金屬摻雜工藝；在介質(zhì)層的正面設(shè)置金屬發(fā)射極，和在第一N型層的正面設(shè)置FRD陰極。借此，IGBT器件無(wú)需外加FRD器件，在封裝時(shí)能減少寄生參數(shù)，提高芯片可靠性，并能節(jié)省封裝面積使得封裝更加靈活。并且，通過(guò)引入重金屬摻雜，可以降低載流子壽命，提高載流子的復(fù)合速度，從而提高開(kāi)關(guān)速度。 |
