一種釩硅合金靶材及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510315291.8 申請日 -
公開（公告）號 CN104894448B 公開（公告）日 2018-07-06
申請公布號 CN104894448B 申請公布日 2018-07-06
分類號 C22C27/02;C22C1/05;B22F3/115 分類 冶金；黑色或有色金屬合金；合金或有色金屬的處理;
發(fā)明人 徐玄;顧進躍;顧偉華;李巧梅;馬輝 申請（專利權(quán)）人 深圳市威勒科技股份有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 518000 廣東省深圳市福田區(qū)深南大道1006號深圳國際創(chuàng)新中心C座15樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種釩硅合金靶材及其制備方法，該靶材由釩粉、硅粉及粘結(jié)劑制作組成，其中釩粉與硅粉的質(zhì)量配比為19:1～3:2，所述釩粉與硅粉的純度大于99.5％。該制備方法包括以下步驟：按比例稱取釩粉與硅粉，并將兩者充分混勻；將混勻的釩粉和硅粉加入粘結(jié)劑進一步混勻，并處理得到干燥的釩硅粉與粘結(jié)劑的復(fù)合粉末材料；將步驟(2)的復(fù)合粉末材料進行等離子噴涂操作；取下噴涂所得的構(gòu)件，并對所述構(gòu)件進行處理得到成品。本發(fā)明的釩硅合金靶材均勻性好，穩(wěn)定性高。本發(fā)明的制備方法采用等離子噴涂方式簡單易行，無需模具設(shè)計和昂貴的壓制設(shè)備，操作方便，制備所得的靶材濺射性能優(yōu)良，雜質(zhì)少，適用于光學(xué)鍍膜。