含硅礦物基多孔硅碳復(fù)合負(fù)極材料及其制備方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111164035.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113871604A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-12-31 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113871604A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-31 |
| 分類號(hào) | H01M4/36(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/48(2010.01)I;H01M4/583(2010.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 侯佼;王興蔚;朱杰;馬勇;侯春平;賀超;楊丹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 博爾特新材料(銀川)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 銀川瑞海陳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 贠天娥 |
| 地址 | 750011寧夏回族自治區(qū)銀川市工業(yè)園創(chuàng)業(yè)園A區(qū)20號(hào)廠房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種含硅礦物基多孔硅碳復(fù)合負(fù)極材料及其制備方法,以含硅礦物提純樣、納米硅粉和碳包覆氧化亞硅微粉為硅源,經(jīng)固相混合、噴霧造粒和低溫?zé)峤夂螅刂艸F濃度和反應(yīng)時(shí)間,刻蝕部分SiO2形成微米級(jí)大孔作為一級(jí)緩沖結(jié)構(gòu),并以引入的低膨脹碳包覆氧化亞硅作為二級(jí)緩沖結(jié)構(gòu),然后,通過(guò)鎂熱還原和酸洗中間產(chǎn)物形成中孔?大孔作為三級(jí)緩沖結(jié)構(gòu),得到多孔硅碳前驅(qū)體。最后,有機(jī)碳源經(jīng)真空浸漬均勻包覆在前驅(qū)體表面形成四級(jí)緩沖結(jié)構(gòu),制備得到四重緩沖保護(hù)的核殼結(jié)構(gòu)含硅礦物基多孔硅碳復(fù)合負(fù)極材料。該含硅礦物基多孔硅碳復(fù)合負(fù)極材料具有高容量、高倍率充放電性能、長(zhǎng)循環(huán)壽命、加工性能優(yōu)異,以及生產(chǎn)成本低等優(yōu)點(diǎn)。 |





