優(yōu)化CMP清洗能力的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111544391.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114178979A 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN114178979A 申請公布日 2022-03-15
分類號 B24B37/10（2012.01）I;B24B37/04（2012.01）I;H01L21/306（2006.01）I 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 李松;宋振偉;張守龍 申請（專利權(quán)）人 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉昌榮
地址 214028江蘇省無錫市新吳區(qū)新洲路30號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種優(yōu)化CMP清洗能力的方法，提供晶圓，晶圓上形成有接觸孔，且接觸孔填充有導(dǎo)電金屬；對晶圓進(jìn)行采用酸性研磨液的第一研磨，其中晶圓與酸性研磨液反應(yīng)生成副產(chǎn)物；對晶圓進(jìn)行清洗，以去除晶圓上的酸性研磨液和副產(chǎn)物；對晶圓進(jìn)行采用堿性研磨液的第二研磨。本發(fā)明避免了絡(luò)合物在接觸孔處聚集，在進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化時減少了缺陷的形成，避免影響到產(chǎn)品良率，優(yōu)化之后的結(jié)果與良率結(jié)果均符合要求。