浮柵及閃存的形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111574035.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114188406A 公開（公告）日 2022-03-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN114188406A 申請(qǐng)公布日 2022-03-15
分類號(hào) H01L29/40（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L27/11517（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賈紅丹;顧林;王虎;王裕曉;王震 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 駱蘇華
地址 214028江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)新洲路30號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開實(shí)施例提供一種浮柵及閃存的形成方法。所述浮柵形成方法包括：提供襯底，所述襯底內(nèi)具有多個(gè)淺槽隔離結(jié)構(gòu)，相鄰的淺槽隔離結(jié)構(gòu)之間構(gòu)成凹槽，并且在相鄰的淺槽隔離結(jié)構(gòu)之間的襯底表面覆蓋有隧穿介質(zhì)層；形成浮柵層，覆蓋所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)和所述隧穿介質(zhì)層；對(duì)所述浮柵層進(jìn)行退火，所述退火的溫度為850℃～1200℃。所述閃存的形成方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成浮柵；在浮柵上形成第二隧穿介質(zhì)層；以及在所述隧穿介質(zhì)層上形成控制柵。本公開實(shí)施例通過(guò)在形成浮柵后進(jìn)行退火，能夠改善在填充浮柵層時(shí)產(chǎn)生的空洞，進(jìn)而提高制備出的閃存的良率和可靠性。