圖像傳感器的形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111547475.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN114156298A 公開(kāi)(公告)日 2022-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114156298A 申請(qǐng)公布日 2022-03-08
分類(lèi)號(hào) H01L27/146(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭曉輝;張棟;范曉;李佳龍 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 華虹半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張瑞;唐嘉
地址 214028江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)新洲路30號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種圖像傳感器的形成方法,包括:提供襯底,所述襯底內(nèi)具有第一離子;在所述襯底內(nèi)形成若干深溝槽;在所述深溝槽內(nèi)形成摻雜外延層,所述摻雜外延層填充滿(mǎn)深溝槽,所述摻雜外延層內(nèi)具有第二離子,所述第二離子與所述第一離子的電學(xué)類(lèi)型不同,所述摻雜外延層包括第一區(qū)以及位于所述第一區(qū)上的第二區(qū),所述第二區(qū)的側(cè)壁與所述第一區(qū)的側(cè)壁之間具有夾角;采用第一平坦化處理,去除所述第二區(qū)。通過(guò)在所述深溝槽內(nèi)形成所述摻雜外延層,摻雜外延層填充滿(mǎn)深溝槽;再采用第一平坦化處理,去除第二區(qū)。利用在形成摻雜外延層之后,采用第一平坦化處理將發(fā)生晶格位錯(cuò)的第二區(qū)進(jìn)行去除,進(jìn)而有效減少白噪聲的產(chǎn)生,以提升最終形成的圖像傳感器的性能。