半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111520638.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114220816A 公開（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN114220816A 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類號(hào) H01L27/11521（2017.01）I;H01L27/11526（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 段松漢;齊翔羽;薛立平;佟宇鑫;顧林;王虎 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 唐嘉
地址 214028江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)新洲路30號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：回刻蝕所述第一介質(zhì)材料層和第二介質(zhì)材料層直至暴露出所述刻蝕停止層，在所述第一開口側(cè)壁以及所述第三柵極側(cè)壁形成第一側(cè)墻，所述第一側(cè)墻包括第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，以所述第一介質(zhì)材料層形成第一介質(zhì)層，以所述第二介質(zhì)材料層形成第二介質(zhì)層；以所述第一側(cè)墻為掩膜，在所述第一開口下方的存儲(chǔ)區(qū)內(nèi)形成存儲(chǔ)漏區(qū)；在形成所述存儲(chǔ)漏區(qū)后，去除所述第一開口內(nèi)的所述第二介質(zhì)層；去除所述第一開口內(nèi)的所述第二介質(zhì)層后，在所述第一開口側(cè)壁、所述第三柵極側(cè)壁形成第二側(cè)墻，所述第二側(cè)墻的厚度小于所述第二介質(zhì)層的厚度，利于后續(xù)層間介質(zhì)層在第一柵極和第二柵極之間的填充，從而提高器件的性能。