半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111520633.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114220815A | 公開（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114220815A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-22 |
| 分類號(hào) | H01L27/11521（2017.01）I;H01L27/11526（2017.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 薛立平;段松漢;齊翔羽;佟宇鑫;顧林;王虎 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 唐嘉 |
| 地址 | 214028江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)新洲路30號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：在所述第一柵極、所述若干第二柵極和所述若干第三柵極的側(cè)壁和頂部表面以及襯底上形成第一介質(zhì)材料層以及位于所述第一介質(zhì)材料層上的第一側(cè)墻材料層；回刻蝕所述第一側(cè)墻材料層直至暴露出所述第一介質(zhì)材料層表面，在所述第一開口側(cè)壁以及所述第三柵極側(cè)壁形成第一側(cè)墻；以所述第一側(cè)墻為掩膜，在所述第一開口下方的存儲(chǔ)區(qū)內(nèi)形成存儲(chǔ)漏區(qū)；在形成所述存儲(chǔ)漏區(qū)后，去除所述第一開口內(nèi)的所述第一側(cè)墻；去除所述第一開口內(nèi)的所述第一側(cè)墻后，在所述第一開口側(cè)壁、所述第三柵極側(cè)壁形成第二側(cè)墻，所述第二側(cè)墻的厚度小于所述第一側(cè)墻的厚度，利于層間介質(zhì)層在第一柵極和第二柵極之間的填充，從而提高器件的性能。 |
