圖像傳感器及圖像傳感器的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111547484.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114156299A 公開（公告）日 2022-03-08
申請公布號 CN114156299A 申請公布日 2022-03-08
分類號 H01L27/146（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王龍鑫;范曉;陳廣龍;余航;向超 申請（專利權(quán)）人 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 朱得菊;唐嘉
地址 214028江蘇省無錫市新吳區(qū)新洲路30號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種圖像傳感器及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底，基底包括第一面；位于基底第一面上的電容結(jié)構(gòu)，電容結(jié)構(gòu)包括第一電極層、位于第一電極層上的介電層以及位于介電層上的第二電極層；位于第一電極層上的第一插塞；位于第二電極層上的第二插塞；位于第一插塞上的第一頂層金屬，第一頂層金屬沿平行于基底表面方向上的寬度是第一插塞沿平行于基底表面方向上的寬度的兩倍以上，第一頂層金屬與像素區(qū)電連接；位于第二插塞上的第二頂層金屬，第二頂層金屬沿平行于基底表面方向上的寬度是第二插塞沿平行于基底表面方向上的寬度的兩倍以上，第二頂層金屬與外部電壓電連接。所述第一插塞和第二插塞能夠占用較小的面積，以滿足小尺寸圖像傳感器的需求。