半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111448256.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114171679A 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN114171679A 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L49/02（2006.01）I;H01L27/146（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 余航;范曉;陳廣龍;向超;王龍鑫 申請（專利權(quán)）人 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 戴廣志
地址 214028江蘇省無錫市新吳區(qū)新洲路30號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：形成第二層間絕緣介質(zhì)層，其中形成陣列式排布的多個溝槽；在所述溝槽內(nèi)以及所述第二層間絕緣介質(zhì)層表面依次形成金屬下極板、介質(zhì)層、金屬上極板和金屬接觸層；去除所述第二層間絕緣介質(zhì)層表面的所述金屬下極板、所述介質(zhì)層、所述金屬上極板和所述金屬接觸層以得到溝槽型陣列排布的MIM電容器。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件。本申請通過在所述第二層間絕緣介質(zhì)層中的溝槽內(nèi)形成陣列排布的溝槽型MIM電容器，可以減少M(fèi)IM電容器在半導(dǎo)體器件中的占用面積，有效提升小尺寸半導(dǎo)體器件的面積利用效率，并且提高了電容密度，相比傳統(tǒng)平面型的MIM電容，溝槽型MIM電容器的密度至少提升5到10倍。