一種溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010870367.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114122122A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114122122A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊濤濤;吳海平 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳眾鼎專(zhuān)利商標(biāo)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 黃章輝 |
| 地址 | 518119廣東省深圳市大鵬新區(qū)葵涌街道延安路1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于電氣元件領(lǐng)域，特別是涉及一種溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法。溝槽型半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體基板、漏電極區(qū)、柵電極區(qū)、源電極區(qū)和絕緣柵介質(zhì)層；所述半導(dǎo)體基板開(kāi)設(shè)有溝槽，所述柵電極區(qū)位于溝槽中，所述絕緣柵介質(zhì)層位于所述柵電極區(qū)與所述半導(dǎo)體基板之間；所述溝槽的一側(cè)形成有柵氧保護(hù)區(qū)和第一源極區(qū)，所述第一源極區(qū)由溝槽的一側(cè)的外壁延伸至所述溝槽的底部，所述柵氧保護(hù)區(qū)延伸至溝槽的底部，所述柵氧保護(hù)區(qū)與溝槽底部接觸位置形成連通第一源極區(qū)與半導(dǎo)體基板的第一溝道，柵氧保護(hù)區(qū)與溝槽底部接觸的位置形成所述第一溝道，增加了半導(dǎo)體器件的溝道密度，降低半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通內(nèi)阻，提高器件性能。 |
