一種大功率MOSFET逆變半橋器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201120285048.3 申請日 -
公開（公告）號 CN202168004U 公開（公告）日 2012-03-14
申請公布號 CN202168004U 申請公布日 2012-03-14
分類號 H02M7/48(2007.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H01L23/473(2006.01)I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 彭詠龍;甄幸祿 申請（專利權(quán)）人 保定三伊天星電氣有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 071051 河北省保定市向陽北大街1968號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種大功率MOSFET逆變半橋器件，包括兩組對稱設(shè)置的MOS管、二極管和阻容吸收器件，兩組MOS管、二極管和阻容吸收器件分別設(shè)置在第一水冷板和第二水冷板上；兩組MOS管、二極管和阻容吸收器件的供電部分通過連接片分別與第一水冷板和第二水冷板相連；第一水冷板和第二水冷板分別為直流供電電源的導(dǎo)電正、負(fù)極板。本實用新型以水冷板作為直流供電電源的正、負(fù)極板，將MOS管、二極管、阻容吸收器件也安裝在此水冷板上，水冷板既作為直流的導(dǎo)電極板，同時又作為功率器件的散熱器。本實用新型省掉了原結(jié)構(gòu)的直流供電電源極板，使結(jié)構(gòu)更加緊湊，由于水冷板的面積很大，導(dǎo)電性能優(yōu)異，使得雜散電感降到了最低。