多晶硅電阻及其制造方法、逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110677950.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113437217A 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN113437217A 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L49/02（2006.01）I;H03M1/46（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡蓉彬 申請（專利權(quán)）人 重慶吉芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李鐵
地址 401334重慶市沙坪壩區(qū)鳳凰鎮(zhèn)皂角樹村臨謝家院子組2號2-2室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種多晶硅電阻及其制造方法、逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器，在形成多晶硅電阻時(shí)，利用絕緣體上硅工藝的特點(diǎn)，把絕緣體上硅襯底的上層硅襯底層劃分成一個(gè)個(gè)絕緣隔離的襯底隔離區(qū)，并在上層硅襯底層上依次形成氧化硅層和多晶硅電阻層，且多晶硅電阻層被劃分成若干個(gè)多晶硅電阻塊，若干個(gè)多晶硅電阻塊被一一對應(yīng)地置于若干個(gè)襯底隔離區(qū)上，使得襯底隔離區(qū)的電位緊緊跟隨多晶硅電阻塊的電位，使得多晶硅電阻塊與下面的襯底隔離區(qū)無法形成較強(qiáng)的電場，消除了多晶硅電阻上的載流子聚邊效應(yīng)；將該多晶硅電阻應(yīng)用到逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的前端電阻分壓網(wǎng)絡(luò)上時(shí)，可有效提高電阻分壓網(wǎng)絡(luò)的線性度，降低了逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的積分非線性度。