集成激光器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110302598.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113113838A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113113838A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-13 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01S5/024（2006.01）I;H01S5/0234（2021.01）I;H01S5/12（2021.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李軍;石文虎;李哲;張?zhí)烀?胡云;周秋桂 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 武漢華工正源光子技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 胡建文 |
| 地址 | 430223湖北省武漢市東湖高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)華中科技大學(xué)科技園正源光子產(chǎn)業(yè)園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種集成激光器件，包括由下至上依次堆疊布設(shè)的硅支撐片層、硅光芯片層以及半導(dǎo)體激光器層，硅光芯片層集成有用于將半導(dǎo)體激光器層產(chǎn)生的熱量散出的散熱器，散熱器貼合硅支撐片層設(shè)置。本發(fā)明的一種集成激光器件的制備方法，包括S1，預(yù)先制作硅光芯片層，并在硅光芯片層中集成散熱器；S2，制作好硅光芯片層后，將硅光芯片層翻轉(zhuǎn)倒過(guò)來(lái)并結(jié)合至硅支撐片層上；S3，去掉硅光芯片層的硅襯底，留下氧化硅層在頂部，將半導(dǎo)體激光器層堆疊在硅光芯片層上；S4，對(duì)半導(dǎo)體激光器層進(jìn)行后續(xù)加工以完成集成激光器件的制備。本發(fā)明通過(guò)集成散熱器，可以加強(qiáng)激光器散熱能力，避免了現(xiàn)有技術(shù)中的溫度限制，提高激光性能，有望提升高溫下的總輸出功率。 |
