一種基于統(tǒng)計(jì)學(xué)的Sar ADC建模方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610874964.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN107918681A | 公開(公告)日 | 2018-04-17 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN107918681A | 申請(qǐng)公布日 | 2018-04-17 |
分類號(hào) | G06F17/50;H03M1/46 | 分類 | 計(jì)算;推算;計(jì)數(shù); |
發(fā)明人 | 肖山 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳市鳳浴科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)福海街道新田社區(qū)征程一路福永第一工業(yè)村3號(hào)103 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種基于統(tǒng)計(jì)學(xué)的Sar ADC建模方法,首先根據(jù)工藝提供的文件,從統(tǒng)計(jì)學(xué)的角度用Matlab建立一個(gè)行為級(jí)模型,確定一種SAR ADC結(jié)構(gòu)的最優(yōu)分段位數(shù)的DNL、INL圖,然后再用Verilog?A語言建立結(jié)構(gòu)級(jí)模型,模擬電路參數(shù)。最后在Matlab和Verilog?A建模的基礎(chǔ)上選擇一個(gè)在精度、速度和功耗方面滿足要求的SAR ADC結(jié)構(gòu)進(jìn)行晶體管電路設(shè)計(jì)。 |
