一種Flash掉電數(shù)據(jù)存儲方法及系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111558513.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114428588A 公開（公告）日 2022-05-03
申請公布號 CN114428588A 申請公布日 2022-05-03
分類號 G06F3/06（2006.01）I;G06F11/10（2006.01）I;G06F11/14（2006.01）I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 馮小雅;肖多嶺;曾海檳 申請（專利權(quán)）人 深圳市拔超科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 劉愛珍
地址 518103廣東省深圳市寶安區(qū)福海街道展城社區(qū)和秀西路87號和景工業(yè)區(qū)第16棟301-401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種flash掉電數(shù)據(jù)存儲方法，方法包括：在MCU芯片片內(nèi)flash設(shè)置一掉電存儲區(qū)；將掉電存儲區(qū)劃分為多份相等地址空間大小的掉電存儲區(qū)塊；循環(huán)將數(shù)據(jù)寫入到掉電存儲區(qū)塊并更新前一個掉電存儲區(qū)塊的標(biāo)志；其中，掉電存儲區(qū)地址空間大小至少為16K；還包括對未寫入的掉電存儲區(qū)塊標(biāo)記的步驟：在掉電存儲區(qū)塊寫入數(shù)據(jù)時將第一地址空間寫入第二標(biāo)志，在寫入完成時將第二標(biāo)志更新為第一標(biāo)志，并將上一掉電存儲區(qū)塊的第一地址空間寫入第三標(biāo)志；還公開了一種flash掉電數(shù)據(jù)存儲裝置。通過在MCU的芯片內(nèi)部flash設(shè)置掉電存儲區(qū)，節(jié)約了硬件成本，提高了讀寫效率，保證了掉電數(shù)據(jù)的完整性。