再循環(huán)用于沉積半導(dǎo)體層的氣體的系統(tǒng)和方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200980149214.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102246272B 公開（公告）日 2013-08-14
申請公布號 CN102246272B 申請公布日 2013-08-14
分類號 H01L21/205(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 J·M·斯特芬斯;B·O·斯蒂姆森;G·N·侯塞因 申請（專利權(quán)）人 陽基集團(tuán)有限公司
代理機構(gòu) 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 王莉莉
地址 美國加利福尼亞
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種再循環(huán)系統(tǒng)包括處理室、回收貯藏器和混合貯藏器。處理室被構(gòu)造為接收沉積在半導(dǎo)體層上的沉積氣體。處理室具有排出沉積氣體的未用部分作為排泄氣體的排氣裝置。回收貯藏器與處理室流體連通?；厥召A藏器被構(gòu)造為接收并存儲來自處理室的排泄氣體。混合貯藏器與回收貯藏器和處理室流體連通?；旌腺A藏器被構(gòu)造為將排泄氣體與原料氣體進(jìn)行混合以形成再循環(huán)沉積氣體。混合貯藏器向處理室提供再循環(huán)沉積氣體以沉積半導(dǎo)體層的附加部分。