一種用于刻蝕二氧化硅掩膜的漿料的清洗工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810207489.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101447530B 公開（公告）日 2010-06-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN101447530B 申請(qǐng)公布日 2010-06-09
分類號(hào) H01L31/18(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李靜;樸松源;郭育林;王鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海晶澳太陽能光伏科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州知友專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 上海晶澳太陽能光伏科技有限公司;上海晶澳太陽能科技有限公司;晶澳太陽能有限公司
地址 200436 上海市閘北區(qū)江場(chǎng)三路36號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種在選擇性發(fā)射極太陽電池制造過程中用于刻蝕二氧化硅掩膜的漿料的清洗工藝，包括以下步驟：(1)純水噴淋；(2)超聲波清洗；(3)純水再次噴淋；(4)循環(huán)純水浸漬。與現(xiàn)在普遍采用的用于刻蝕二氧化硅掩膜的漿料的清洗工藝相比，本發(fā)明可徹底清除掉硅片表面的各種雜質(zhì)，杜絕了其對(duì)后續(xù)工藝及最終電池片性能的影響。