一種多元合金膜層的沉積裝置及運用該裝置的沉積工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110435418.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113186500A 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN113186500A 申請公布日 2021-07-30
分類號 C23C14/32（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I;C23C14/14（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 廖斌;陳琳;王國梁;羅軍;龐盼 申請（專利權(quán)）人 廣東省廣新離子束科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州圣理華知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 董覺非;張凱
地址 510663廣東省廣州市黃埔區(qū)光譜東路179號百事高智慧園C棟101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多元合金膜層的沉積裝置及運用該裝置的沉積工藝，涉及等離子鍍膜領(lǐng)域。該沉積裝置包括等離子發(fā)生器以及真空腔室，其中，等離子體發(fā)生器包括一主管道和多個分支管道，通過該沉積裝置能實現(xiàn)采用單元或二元合金作為靶材進(jìn)行高熵合金膜層的制備，并還能通過對磁場的電流大小的控制對合金元素成分比例進(jìn)行調(diào)控。采用基于沉積裝置的多元合金膜層的沉積工藝，能采用單元或二元合金作為靶材進(jìn)行高熵合金膜層的制備，并還能通過對磁場的電流大小的控制對合金元素成分比例進(jìn)行調(diào)控，調(diào)整方便。