一種大面積均勻單層石墨烯薄膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011576672.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114684813A 公開（公告）日 2022-07-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN114684813A 申請(qǐng)公布日 2022-07-01
分類號(hào) C01B32/186（2017.01）I 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 武斌;姚文乾;張家寧;劉云圻 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所
代理機(jī)構(gòu) 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 100190北京市海淀區(qū)中關(guān)村北一街2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種制備大面積均勻單層石墨烯薄膜的方法。該方法將電化學(xué)拋光后的單晶基底銅（111）放入高溫管式爐，采用化學(xué)氣相沉積法即可得到大面積均勻單層石墨烯薄膜。本發(fā)明利用兩步碳源供給，先高碳源生長(zhǎng)多層石墨烯大面積薄膜，繼而降低碳源，并維持小碳源的長(zhǎng)時(shí)間供給，多層區(qū)域優(yōu)先刻蝕，最終會(huì)達(dá)到刻蝕與生長(zhǎng)的動(dòng)態(tài)平衡，得到大面積連續(xù)單層石墨烯薄膜。