開(kāi)關(guān)檢測(cè)方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811496371.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN109633426A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-06-08 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN109633426A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-08 |
分類(lèi)號(hào) | G01R31/327 | 分類(lèi) | 測(cè)量;測(cè)試; |
發(fā)明人 | 何志強(qiáng);曲世超;井超 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 浙江特康電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 杭州華鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 項(xiàng)軍 |
地址 | 314009 浙江省嘉興市南湖區(qū)余新鎮(zhèn)經(jīng)一路與緯三路交叉口東北側(cè)1幢-3幢 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了開(kāi)關(guān)檢測(cè)方法,包括令控制芯片MCU輸出導(dǎo)通MOS管Q1的電壓值,獲取連接在控制芯片MCU上的開(kāi)關(guān)檢測(cè)電路中流經(jīng)MOS管Q1的電流值;當(dāng)接收到表明電流值小于預(yù)設(shè)閾值的第一控制指令時(shí),令控制芯片MCU輸出關(guān)閉MOS管Q1的電壓值,在MOS管Q1斷開(kāi)后獲取開(kāi)關(guān)檢測(cè)電路中AD采樣端處的采樣電壓值;如果采樣電壓值大于標(biāo)準(zhǔn)電壓值,則判定開(kāi)關(guān)SW處于閉合狀態(tài);如果采樣電壓值為零,則判定SW已斷開(kāi)。依據(jù)外部開(kāi)關(guān)SW在不同狀態(tài)下檢測(cè)MOS管Q1的導(dǎo)通、關(guān)斷狀態(tài)下的采樣電壓值,參考SW在不同狀態(tài)下流經(jīng)Q1的電流發(fā)生變化從而導(dǎo)致采樣電壓值變化的方式完成對(duì)開(kāi)關(guān)SW狀態(tài)的判斷,相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),無(wú)需采用昂貴的電器元件即可以完成開(kāi)關(guān)狀態(tài)檢測(cè),降低了廠家成本。 |
