一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010831769.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114078705A 公開（公告）日 2022-02-22
申請公布號 CN114078705A 申請公布日 2022-02-22
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;B82Y10/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐子波;張凱;何崇敏;唐磊 申請（專利權(quán)）人 中芯南方集成電路制造有限公司
代理機構(gòu) 北京市一法律師事務(wù)所 代理人 劉榮娟
地址 200120上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)張江路18號3號樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，所述方法包括：提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底包括若干溝槽，所述溝槽用于形成源極和漏極；預(yù)處理階段，對所述溝槽表面進行處理，去除溝槽表面的殘留物和氧化物；反應(yīng)準備階段，將溫度調(diào)整至反應(yīng)溫度，將壓強調(diào)整至反應(yīng)壓強，所述反應(yīng)壓強為10托至60托；反應(yīng)階段，通入反應(yīng)氣體，在所述反應(yīng)溫度和反應(yīng)壓強下在所述溝槽表面生成種子層。本申請所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，使用低壓低溫的反應(yīng)環(huán)境來生長源極和漏極，可以提高源極和漏極的均一性，降低缺陷，提高可靠性。