半導體器件的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010851431.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114079008A 公開（公告）日 2022-02-22
申請公布號 CN114079008A 申請公布日 2022-02-22
分類號 H01L49/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 江濤 申請（專利權）人 中芯南方集成電路制造有限公司
代理機構 北京集佳知識產權代理有限公司 代理人 吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿易試驗區(qū)張江路18號3號樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成氮化鈦材料層；采用還原氣體對所述氮化鈦材料層進行還原處理；圖案化所述氮化鈦材料層，以去除部分所述氮化鈦材料層，形成氮化鈦層。本發(fā)明實施例提供的半導體器件的形成方法，可以還原被氧化后的氮化鈦，得到穩(wěn)定的氮化鈦層，有利于提高半導體器件的性能。