套刻偏差的補償方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010898429.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114114844A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114114844A 申請公布日 2022-03-01
分類號 G03F7/20（2006.01）I;G03F9/00（2006.01）I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 張海;楊曉松;吳怡旻 申請（專利權(quán)）人 中芯南方集成電路制造有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣
地址 201203上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)張江路18號3號樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種套刻偏差的補償方法，包括：獲取x個第一檢測分布圖，每個第一檢測分布圖包括多個檢測區(qū)域，每個檢測區(qū)域中至少具有1個檢測位置，x個第一檢測分布圖間的檢測位置均不重復(fù)，x為大于或者等于2的自然數(shù)；根據(jù)所述x個第一檢測分布圖對第n批次的晶圓進行第一迭代，獲取第n高階套刻偏差模型。從而，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的套刻精度，并且，提高套刻偏差補償?shù)男省?/td>