半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010734868.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114005754A 公開（公告）日 2022-02-01
申請公布號 CN114005754A 申請公布日 2022-02-01
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I;H01L21/762（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉中元;唐建新;徐廣州 申請（專利權(quán)）人 中芯南方集成電路制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市一法律師事務(wù)所 代理人 劉榮娟
地址 200120上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)張江路18號3號樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括鰭片區(qū)和隔離區(qū)，所述隔離區(qū)用于隔離相鄰的鰭片區(qū)，所述鰭片區(qū)的半導(dǎo)體襯底上形成有若干鰭片；第一隔離層，位于所述半導(dǎo)體襯底表面和所述若干鰭片的部分側(cè)壁；第二隔離層，位于所述隔離區(qū)且貫穿所述第一隔離層。本申請所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，一方面在所述隔離區(qū)形成緩第二隔離材料層，所述第二隔離材料層的應(yīng)力較低，可以降低所述若干鰭片中最外側(cè)的鰭片受到的應(yīng)力；另一方面，進(jìn)行了兩次退火工藝可以進(jìn)一步釋放第一隔離材料層和第二隔離材料層的應(yīng)力?？梢越鉀Q鰭片缺陷問題，提高產(chǎn)品良率。