一種半導體結構的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010809812.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114078746A 公開（公告）日 2022-02-22
申請公布號 CN114078746A 申請公布日 2022-02-22
分類號 H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 江濤 申請（專利權）人 中芯南方集成電路制造有限公司
代理機構 北京市一法律師事務所 代理人 劉榮娟
地址 200120上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)張江路18號3號樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┌雽w結構的形成方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底上形成有第一介質(zhì)層以及貫穿所述第一介質(zhì)層的金屬連接結構；在所述第一介質(zhì)層表面和所述金屬連接結構表面形成第二介質(zhì)層；在所述第二介質(zhì)層中形成溝槽，所述溝槽暴露所述金屬連接結構的表面；使用堿性清洗溶液清洗所述溝槽；鈍化處理所述暴露出的金屬連接結構表面。本申請所述的半導體結構的形成方法，使用堿性溶液來清洗所述溝槽，不會腐蝕或損傷所述金屬連接結構；進一步地，清洗完成后對所述金屬連接結構進行鈍化處理來進行保護，可以提高器件可靠性。