一種套刻對準(zhǔn)的檢測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810302059.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110349874B 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN110349874B 申請公布日 2021-06-04
分類號 H01L21/66 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 柏聳;陳可;宋濤;沈滿華 申請（專利權(quán)）人 中芯南方集成電路制造有限公司
代理機構(gòu) 北京市磐華律師事務(wù)所 代理人 高偉;馮永貞
地址 201203 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)張江路18號3號樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種套刻對準(zhǔn)的檢測方法。所述方法包括：提供第一膜層，在所述第一膜層中形成有若干間隔設(shè)置的參照圖案；在第一膜層上對準(zhǔn)地形成第二膜層并獲取對準(zhǔn)偏差數(shù)值，在所述第二膜層上形成有開口，以相對于所述開口的中心軸對稱地露出部分所述參照圖案；以所述第二膜層為掩膜蝕刻所述參照圖案，以去除露出的所述參照圖案；去除所述第二膜層；獲取剩余的所述參照圖案的信號不對稱值；根據(jù)所述信號不對稱值判斷所述第一膜層和所述第二膜層是否對準(zhǔn)。本發(fā)明提供了一種套刻對準(zhǔn)的檢測方法，所述方法可以對所述第一膜層和第二膜層之間是否對準(zhǔn)進行準(zhǔn)確的判斷，以確保第一膜層和第二膜層之間完全對準(zhǔn)，避免由對準(zhǔn)偏差導(dǎo)致器件的性能和良率下降。