一種晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201821708146.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN208706649U | 公開（公告）日 | 2019-04-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN208706649U | 申請(qǐng)公布日 | 2019-04-05 |
| 分類號(hào) | H01L27/144（2006.01）I; H01L31/02（2006.01）I; H01L31/0203（2014.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 馬清杰; 許正一; 陳敏; 吳多武 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京方旭智芯微電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 南京方旭智芯微電子科技有限公司 |
| 地址 | 210000 江蘇省南京市浦口區(qū)南京海峽兩岸科技工業(yè)園臺(tái)中路99-263號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器，包括：一蓋子晶圓，在所述蓋子晶圓的背面上設(shè)置有開窗區(qū)域、氣體吸附區(qū)域以及圍繞所述氣體吸附區(qū)域和所述開窗區(qū)域的鍵合區(qū)域；所述氣體吸附區(qū)域開設(shè)有用于涂覆氣體吸附膜層的第一凹槽，所述鍵合區(qū)域設(shè)置有鍵合層。本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過在氣體吸附區(qū)域開設(shè)用于涂覆氣體吸附膜層的第一凹槽，以便在第一凹槽的底壁和側(cè)壁均涂覆氣體吸附膜層，通過增加氣體吸附劑(層)的面積來提高整個(gè)密封腔體的可靠性，進(jìn)而提高設(shè)備的可靠性。 |
