一種晶圓級封裝紅外探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821708146.1 申請日 -
公開（公告）號 CN208706649U 公開（公告）日 2019-04-05
申請公布號 CN208706649U 申請公布日 2019-04-05
分類號 H01L27/144（2006.01）I; H01L31/02（2006.01）I; H01L31/0203（2014.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬清杰; 許正一; 陳敏; 吳多武 申請（專利權(quán)）人 南京方旭智芯微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 南京方旭智芯微電子科技有限公司
地址 210000 江蘇省南京市浦口區(qū)南京海峽兩岸科技工業(yè)園臺中路99-263號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種晶圓級封裝紅外探測器，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該晶圓級封裝紅外探測器，包括：一蓋子晶圓，在所述蓋子晶圓的背面上設(shè)置有開窗區(qū)域、氣體吸附區(qū)域以及圍繞所述氣體吸附區(qū)域和所述開窗區(qū)域的鍵合區(qū)域；所述氣體吸附區(qū)域開設(shè)有用于涂覆氣體吸附膜層的第一凹槽，所述鍵合區(qū)域設(shè)置有鍵合層。本申請實施例中，通過在氣體吸附區(qū)域開設(shè)用于涂覆氣體吸附膜層的第一凹槽，以便在第一凹槽的底壁和側(cè)壁均涂覆氣體吸附膜層，通過增加氣體吸附劑(層)的面積來提高整個密封腔體的可靠性，進而提高設(shè)備的可靠性。