一種晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811227926.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109273460A | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-01-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109273460A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-01-25 |
| 分類號(hào) | H01L27/144;H01L31/02;H01L31/0203 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 馬清杰;許正一;陳敏;吳多武 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京方旭智芯微電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 南京方旭智芯微電子科技有限公司 |
| 地址 | 210000 江蘇省南京市浦口區(qū)南京海峽兩岸科技工業(yè)園臺(tái)中路99-263號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器及其制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器的制作方法，包括：在蓋子晶圓的鍵合區(qū)域形成鍵合層；對(duì)除鍵合區(qū)域外且與鍵合區(qū)域位于同一表面的蓋子晶圓進(jìn)行減薄處理；在蓋子晶圓的開(kāi)窗區(qū)域涂覆紅外增透抗反射膜，在蓋子晶圓的氣體吸附區(qū)域形成第一凹槽，并在第一凹槽的底壁和側(cè)壁均涂覆氣體吸附膜層；將基板晶圓與蓋子晶圓進(jìn)行鍵合封裝，形成晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器，基板晶圓包括有紅外敏感像素和讀出電路芯片。本申請(qǐng)實(shí)施例中，采用一種新的封裝工藝工序，來(lái)降低封裝成本，并進(jìn)一步通過(guò)增加氣體吸附劑(層)的面積來(lái)提高整個(gè)密封腔體的可靠性，進(jìn)而提高整個(gè)設(shè)備的可靠性。 |
