一種晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811228153.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109273461A | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-01-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109273461A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-01-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/144;H01L31/02;H01L31/0203 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 馬清杰;許正一;陳敏;吳多武 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 南京方旭智芯微電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 南京方旭智芯微電子科技有限公司 |
| 地址 | 210000 江蘇省南京市浦口區(qū)南京海峽兩岸科技工業(yè)園臺(tái)中路99-263號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器及其制作方法。該方法包括：在蓋子晶圓的PAD區(qū)域形成導(dǎo)電層，并在導(dǎo)電層的一端面焊接PAD焊點(diǎn)；在蓋子晶圓的鍵合區(qū)域形成鍵合層；對(duì)除鍵合區(qū)域和PAD區(qū)域外且與鍵合區(qū)域位于同一表面的蓋子晶圓進(jìn)行減薄處理；在蓋子晶圓的開(kāi)窗區(qū)域涂覆紅外增透抗反射膜，在蓋子晶圓的氣體吸附區(qū)域形成第一凹槽，并在第一凹槽的底壁和側(cè)壁均涂覆氣體吸附膜層；將基板晶圓與蓋子晶圓進(jìn)行鍵合封裝，形成晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器。采用一種新的封裝工藝工序，通過(guò)將PAD從正面引出，避免了采用劃片切割的方法將蓋子晶圓兩側(cè)的PAD區(qū)域打開(kāi)而導(dǎo)致PAD損壞的情況發(fā)生，提高了封裝良品率。 |
