一種晶圓級封裝紅外探測器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811228153.6 申請日 -
公開（公告）號 CN109273461A 公開（公告）日 2019-01-25
申請公布號 CN109273461A 申請公布日 2019-01-25
分類號 H01L27/144;H01L31/02;H01L31/0203 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬清杰;許正一;陳敏;吳多武 申請（專利權）人 南京方旭智芯微電子科技有限公司
代理機構 北京超凡志成知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 南京方旭智芯微電子科技有限公司
地址 210000 江蘇省南京市浦口區(qū)南京海峽兩岸科技工業(yè)園臺中路99-263號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種晶圓級封裝紅外探測器及其制作方法。該方法包括：在蓋子晶圓的PAD區(qū)域形成導電層，并在導電層的一端面焊接PAD焊點；在蓋子晶圓的鍵合區(qū)域形成鍵合層；對除鍵合區(qū)域和PAD區(qū)域外且與鍵合區(qū)域位于同一表面的蓋子晶圓進行減薄處理；在蓋子晶圓的開窗區(qū)域涂覆紅外增透抗反射膜，在蓋子晶圓的氣體吸附區(qū)域形成第一凹槽，并在第一凹槽的底壁和側壁均涂覆氣體吸附膜層；將基板晶圓與蓋子晶圓進行鍵合封裝，形成晶圓級封裝紅外探測器。采用一種新的封裝工藝工序，通過將PAD從正面引出，避免了采用劃片切割的方法將蓋子晶圓兩側的PAD區(qū)域打開而導致PAD損壞的情況發(fā)生，提高了封裝良品率。