一種晶面臺(tái)階取向與高度控制生長(zhǎng)單壁碳納米管網(wǎng)絡(luò)形貌的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210284742.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114686861A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114686861A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
| 分類號(hào) | C23C16/52（2006.01）I;C23C16/26（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C23C16/46（2006.01）I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 劉暢;李鑫;張峰;侯鵬翔;張莉莉;石超;成會(huì)明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 中國(guó)科學(xué)院金屬研究所 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 沈陽(yáng)優(yōu)普達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 110016遼寧省沈陽(yáng)市沈河區(qū)文化路72號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及單壁碳納米管網(wǎng)絡(luò)形貌可控制備領(lǐng)域，具體為一種晶面臺(tái)階取向與高度控制生長(zhǎng)單壁碳納米管網(wǎng)絡(luò)形貌的方法。選擇鋁酸鎂尖晶石MgAl2O4襯底的（100）、（110）和（111）面，通過(guò)熱處理?xiàng)l件調(diào)控襯底晶面的結(jié)晶度和原子臺(tái)階取向、高度，利用常壓化學(xué)氣相沉積法，分別在三種晶面上直接生長(zhǎng)正交、平行和雜亂取向的單壁碳納米管網(wǎng)絡(luò)。本發(fā)明通過(guò)選取襯底晶面和調(diào)控臺(tái)階取向與高度，基于單壁碳納米管與晶面原子的強(qiáng)相互作用，分別實(shí)現(xiàn)了正交、平行和雜亂取向單壁碳納米管網(wǎng)絡(luò)形貌的控制，為探索新型碳納米管基納電子器件奠定了材料基礎(chǔ)。 |
