一種基于豎直硅光微環(huán)的三維光學(xué)倒裝集成結(jié)構(gòu)及方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111324325.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114089471A | 公開(公告)日 | 2022-02-25 |
申請公布號 | CN114089471A | 申請公布日 | 2022-02-25 |
分類號 | G02B6/12(2006.01)I | 分類 | 光學(xué); |
發(fā)明人 | 陳曉剛;胡朝陽 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州海光芯創(chuàng)光電科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京金智普華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐會(huì)娟 |
地址 | 215000江蘇省蘇州市中國(江蘇)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)平勝路1號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種基于豎直硅光微環(huán)的三維光學(xué)倒裝集成結(jié)構(gòu)及方法,涉及硅光芯片集成技術(shù)領(lǐng)域,通過豎直微環(huán)作為光學(xué)耦合器件,將兩個(gè)不同材料的集成光學(xué)芯片,無接觸地進(jìn)行耦合,能夠解決集成光學(xué)芯片制備過程中使用不同材料系統(tǒng)時(shí)存在的晶格匹配度限制問題、以及因激光器與硅芯片直接接觸導(dǎo)致的溫度高的問題;該集成結(jié)構(gòu)從下到上依次包括:底層硅光芯片襯底;底層平整化層以及嵌設(shè)于底層平整化層內(nèi)的底層硅波導(dǎo);與硅波導(dǎo)正交設(shè)置的氮化硅豎直微管;頂層集成芯片,包括與硅波導(dǎo)平行且位置正對的光波導(dǎo);氮化硅豎直微管內(nèi)設(shè)有豎直微環(huán)耦合器,豎直微環(huán)耦合器與光波導(dǎo)以及硅波導(dǎo)分別耦合連接。本發(fā)明提供的技術(shù)方案適用于硅光芯片集成的過程中。 |
