一種碳基薄膜合成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN98111833.X 申請日 -
公開（公告）號 CN1141415C 公開（公告）日 2004-03-10
申請公布號 CN1141415C 申請公布日 2004-03-10
分類號 C23C14/48 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 黃楠;冷永祥;楊萍;陳俊英;孫鴻 申請（專利權(quán)）人 成都拜爾麥迪克醫(yī)療科技有限公司
代理機構(gòu) 成都博通專利事務(wù)所 代理人 西南交通大學(xué);成都拜爾麥迪克醫(yī)療科技有限公司
地址 610031四川省成都市
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及真空沉積薄膜技術(shù)領(lǐng)域，針對現(xiàn)有方法無法在復(fù)雜工件表面合成質(zhì)量優(yōu)良的高硬度薄膜，分別采用碳作為金屬等離子體源，氮作氣體等離子體源，用等離子體浸沒離子注入方法，在具有復(fù)雜形狀的工件表面形成類金剛石薄膜或碳氮化合物薄膜。本發(fā)明所述的方法，可以在形狀復(fù)雜的工件表面合成具有超高硬度、較高結(jié)合力、耐磨損、耐腐蝕的薄膜，主要應(yīng)用于人工器官表面改性領(lǐng)域。