一種碳基薄膜合成方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN98111833.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN1224772A | 公開(公告)日 | 1999-08-04 |
申請公布號 | CN1224772A | 申請公布日 | 1999-08-04 |
分類號 | C23C14/48;C23C14/04 | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 黃楠;冷永祥;楊萍;陳俊英;孫鴻 | 申請(專利權(quán))人 | 成都拜爾麥迪克醫(yī)療科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 西南交通大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人 | 張宗明 |
地址 | 610031四川省成都市 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及真空沉積薄膜技術(shù)領(lǐng)域,針對現(xiàn)有方法無法在復(fù)雜工件表面合成質(zhì)量優(yōu)良的高硬度薄膜,分別采用碳作為金屬等離子體源,氮作氣體等離子體源,在具有復(fù)雜形狀的工件表面形成類金剛石薄膜或碳氮化合物薄膜。本發(fā)明所述的方法,可以在形狀復(fù)雜的工件表面合成具有超高硬度、較高結(jié)合力、耐磨損、耐腐蝕的薄膜,主要應(yīng)用于人工器官表面改性領(lǐng)域。 |
