在中溫下彈坑檢測的預處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711041685.4 申請日 -
公開（公告）號 CN107799399A 公開（公告）日 2018-03-13
申請公布號 CN107799399A 申請公布日 2018-03-13
分類號 H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 章建聲;曹弦;黃迅駒;張青云 申請（專利權）人 浙江華越芯裝電子股份有限公司
代理機構 紹興市越興專利事務所（普通合伙） 代理人 浙江華越芯裝電子股份有限公司
地址 312000 浙江省紹興市環(huán)城西路天光橋3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種在中溫下彈坑檢測的預處理方法，先將待檢硅片浸入裝有腐蝕液A的1號燒杯中，然后將整個1號燒杯中溫水浴5?10分鐘，接著取出待檢硅片并用純水沖洗干燥，然后將待檢硅片放入裝有腐蝕液B的2號燒杯中，并將整個2號燒杯中溫水浴5?10分鐘，最后將預處理后的待檢硅片取出清洗干凈，置于高倍顯微鏡下檢測。上述在中溫下彈坑檢測的預處理方法，通過腐蝕液A、腐蝕液B在中溫狀態(tài)下先后腐蝕，即可實現(xiàn)AL?Si?CU電極層上銅絲球焊質量的檢測，整個預處理過程快速高效、安全環(huán)保，且操作方便。